M31開發台積電28奈米嵌入式Flash製程IP,Q3提供客戶

2019.04.17 MoneyDJ / 新聞中心報導

原文出處: https://www.moneydj.com/KMDJ/News/NewsViewer.aspx?a=a3121ae4-7a2a-41be-8bcb-b2ec20a12d66

矽智財開發商M31(6643)宣布,將在台積電28奈米嵌入式快閃記憶體製程技術開發SRAM Compiler IP,這些IP解決方案將能協助設計人員提升在行動裝置、電源管理、物聯網,車用電子等應用的SoC功耗表現。此系列矽智財預計於今年第三季提供客戶設計整合使用。

M31董事長林孝平表示,隨著網路傳輸頻寬的不斷加大,資料運算與儲存需求日增。公司在台積電領先業界的28奈米嵌入式快閃記憶體製程開發的IP,除了可縮短設計週期,同時能降低SoC功耗並提高效能,可廣泛應用於高速的資料處理、電源管理,物聯網、車用電子,以及行動通訊等產品的設計上。

台積電設計建構行銷事業處資深處長Suk Lee表示,嵌入式快閃記憶體技術對於支援智慧行動,汽車電子和物聯網等廣泛應用至關重要。藉由M31與台積電28奈米嵌入式快閃製程技術努力合作開發的IP,將有助於設計人員優化SoC,實現速度,面積和功耗之間的成功平衡。

M31指出,此次以台積電28奈米嵌入式快閃記憶體製程技術開發的SRAM Compiler IP功能齊全,支援多種節能模式,使用者可依據不同操作狀態,切換到當下最佳省電模式,來延長行動元件電池的使用時間,以提供客戶更多元的產品運用。基於優異的技術特性,此系列IP可以完全整合在嵌入式快閃記憶體製程平台上,預計今年第三季提供知名國際大廠採用。